MOSFET 2N6660 TO-39-3 60V 3 OHMS - Código:9539

O 2N6660 é um transistor em modo de aprimoramento (normalmente desligado) que utiliza uma estrutura DMOS vertical e um processo de fabricação de porta de silício comprovado. Essa combinação produz um dispositivo com os recursos de manipulação de energia dos transistores bipolares, e a alta impedância de entrada e o coeficiente de temperatura positivo inerente aos dispositivos MOS. Característica de todas as estruturas MOS, este dispositivo está livre de falhas secundárias térmicas e induzidas termicamente. Os FETs DMOS verticais são ideais para uma ampla gama de aplicações de comutação e amplificação onde se deseja uma tensão muito baixa, alta tensão de ruptura, alta impedância de entrada, capacitância de entrada baixa e velocidades de comutação rápidas.

• Livre da avaria secundária
• Requisito de acionamento de baixa potência
• Facilidade de paralelismo
• Velocidades baixas de CISS e de comutação rápida
• Excelente estabilidade térmica
• Diodo fonte-dreno integral
• Alta impedância de entrada e alto ganho