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CIRCUITO INTEGRADO DS1225AD-150+ DIP-28



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Código: 6723
Disponibilidade para envio: 1 a 2 dias úteis
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Características

CIRCUITO INTEGRADO DS1225AD-150+ DIP-28

 Folha de dados do DS1225AD-150 +

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Categorias
Fabricante Maxim Integrated
Series -
Embalagem ? Tubo ?
Status da Peça Ativo
Tipo de memória Não volátil
Formato de memória NVSRAM
Tecnologia NVSRAM (SRAM não volátil)
Tamanho da memória 64Kb (8K x 8)
Escrever tempo de ciclo - Word, página 150 ns
Tempo de acesso 150 ns
Interface de memória Paralelo
Tensão - fonte 4,5 V ~ 5,5 V
Temperatura de operação 0 ° C ~ 70 ° C (TA)
Tipo de montagem Através do orifício
Pacote / caso Módulo 28-DIP (0,600 ", 15,24 mm)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor 28-EDIP
Número da peça base DS1225A

CARACTERÍSTICAS:

? 10 anos de retenção mínima de dados no
ausência de energia externa
? Os dados são automaticamente protegidos durante a energia
perda
? Diretamente substitui 8k x 8 RAM estática volátil
ou EEPROM
? Ciclos de gravação ilimitados
? CMOS de baixa potência
? Pacote DIP padrão de 28 pinos JEDEC
? Ler e escrever tempos de acesso de 70 ns
? A fonte de energia de lítio é eletricamente
desconectado para manter frescor até poder
é aplicado pela primeira vez
? Faixa de operação VCC ± 10% completa (DS1225AD)
? Opcional faixa de operação de 5% VCC
(DS1225AB)
? Faixa de temperatura industrial opcional de
-40 ° C a + 85 ° C, designado IND

DESCRIÇÃO DO PIN:

A0-A12 - Entradas de endereço
DQ0-DQ7 - entrada de dados / saída de dados
CE - Ativar Chip
WE - Habilitar gravação
OE - Habilitar saída
VCC - Potência (+ 5V)
GND - terra
NC - sem conexão



DS1225AB / AD 64k Nonvolatile SRAM

DESCRIÇÃO:

O DS1225AB e o DS1225AD são SRAMs não voláteis de 65.536 bits, totalmente estáticas, organizadas como 8192 palavras
por 8 bits. Cada NV SRAM tem uma fonte de energia de lítio independente e circuitos de controle que
monitora constantemente o VCC para uma condição fora da tolerância. Quando tal condição ocorre, o lítio
fonte de energia é ligada automaticamente e proteção de gravação é habilitada incondicionalmente para evitar
Corrupção de dados. As NV SRAMs podem ser usadas no lugar das SRAMs 8k x 8 existentes, em conformidade
o popular padrão DIP bytewide de 28 pinos. Os dispositivos também correspondem à pinagem da EPROM 2764 e
o EEPROM 2864, permitindo a substituição direta enquanto melhora o desempenho. Não há limite para o
número de ciclos de gravação que podem ser executados e nenhum circuito de suporte adicional é necessário para
interface com microprocessador.

MODO DE LEITURA:

O DS1225AB e o DS1225AD executam um ciclo de leitura sempre que WE (Write Enable) está inativo (alto) e
CE (Chip Enable) e OE (Output Enable) estão ativos (baixos). O endereço único especificado pelos 13
entradas de endereço (A0 -A12) definem quais dos 8192 bytes de dados devem ser acessados. Os dados válidos serão
disponível para os oito drivers de saída de dados no tACC (Access Time) após o último sinal de entrada de endereço
estável, desde que os tempos de acesso CE e OE também sejam satisfeitos. Se os tempos de acesso CE e OE não forem
satisfeito, então o acesso a dados deve ser medido a partir do sinal que ocorre mais tarde e o parâmetro limitante é
ou tCO para CE ou TOE para OE, em vez de acesso ao endereço.

MODO DE ESCRITA:

O DS1225AB e o DS1225AD executam um ciclo de gravação sempre que os sinais WE e CE estiverem ativos
(baixo) depois que as entradas de endereço estão estáveis. A última borda descendente de CE ou WE determinará a
início do ciclo de gravação. O ciclo de gravação é terminado pela borda de subida anterior de CE ou WE. Todos os endereços
entradas devem ser mantidas válidas durante todo o ciclo de gravação. Devemos retornar ao estado alto por um mínimo
tempo de recuperação (tWR) antes que outro ciclo possa ser iniciado. O sinal de controle OE deve ser mantido inativo
(alto) durante os ciclos de gravação para evitar a contenção do barramento. No entanto, se os drivers de saída estiverem habilitados (CE e
OE ativo), em seguida, vamos desabilitar as saídas em tODW a partir de sua borda de queda.

MODO DE RETENÇÃO DE DADOS:

O DS1225AB fornece capacidade funcional completa para VCC superior a 4,75 volts e proteção contra gravação
4,5 volts. O DS1225AD fornece capacidade totalmente funcional para VCC superior a 4,5 volts e gravação
protege por 4,25 volts. Os dados são mantidos na ausência de VCC sem qualquer circuito de suporte adicional.
As RAMs estáticas não voláteis monitoram constantemente o VCC. Se a tensão de alimentação decair, as NV SRAMs
escrever automaticamente proteger-se, todas as entradas tornam-se "não se importam" e todas as saídas tornam-se de alta impedância.
Como o VCC está abaixo de aproximadamente 3,0 volts, o circuito de comutação de energia conecta o lítio
fonte de energia para a RAM para reter os dados. Durante a energização, quando o VCC se eleva acima de aproximadamente 3,0 volts,
o circuito de comutação de energia conecta o VCC externo à RAM e desconecta a fonte de energia de lítio.
A operação normal da RAM pode ser retomada após o VCC exceder 4,75 volts para o DS1225AB e 4,5 volts para o
DS1225AD.

Cada DS1225 é enviado da Maxim com a fonte de energia de lítio desconectada, garantindo
capacidade de energia. Quando o VCC é aplicado pela primeira vez em um nível maior que VTP, a fonte de energia de lítio é
habilitado para operação de backup de bateria.


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