CIRCUITO INTEGRADO CXK581000AM-10LLX SMD SO-32 SONY

Código: 807

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Descrição

Descrição

O CXK581000ATM/AYM/AM/AP é uma RAM estática CMOS de alta velocidade organizada como 131072 palavras por 8 bits.

Uma tecnologia de célula TFT de polissilício obteve uma corrente de espera extremamente baixa e maior estabilidade de retenção de dados.

As características especiais são baixo consumo de energia, alta velocidade e ampla linha de pacotes.

O CXK581000ATM/AYM/AM/AP é uma RAM adequada para equipamentos portáteis com bateria reserva.


Características

? Tempo de acesso rápido:

     CXK581000ATM/AYM/AM/AP (tempo de acesso)

                                     -55LL/55SL 55ns (Máx.)

                                     -70LL/70SL 70ns (máx.)

                                     -10LL/10SL 100ns (Máx.)

? Baixa corrente de espera:

     CXK581000ATM/AYM/AM/AP

                            -55LL/70LL/10LL 20µA (Máx.)

                            -55SL/70SL/10SL 12µA (Máx.)

? Baixa corrente de retenção de dados

     CXK581000ATM/AYM/AM/AP

                            -55LL/70LL/10LL 12µA (Máx.)

                            -55SL/70SL/10SL 4µA (Máx.)

? Fornecimento único de +5V: +5V ±10%

? Retenção de dados de baixa tensão: 2,0 V (Min.)

? Ampla linha de pacotes

? CXK581000ATM/AYM

     Pacote TSOP de 8 mm × 20 mm de 32 pinos

? Pacote SOP CXK581000AM 525mil 32 pinos

? Pacote DIP de 32 pinos CXK581000AP 600mil


Funções

     131072 palavras × RAM estática de 8 bits